工業(yè)氣體在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《常用危險(xiǎn)化學(xué)品的分類及標(biāo)志》（GB13690-1992）中，通常被劃為第2類壓縮氣體和液化氣體。 這類化學(xué)品系指壓縮、液化或加壓溶解的氣體。氣體經(jīng)加壓或降低溫度，可以使氣體分子間的距離大大縮小而被壓入鋼瓶中，這種氣體稱為壓縮氣體（亦稱為永久氣體， 如氧氣、氮?dú)?、氬氣、氫氣等）。?duì)壓縮氣體繼續(xù)加壓， 適當(dāng)降溫，壓縮氣體就會(huì)變成液體的，稱為液化氣體（如液氯、 液氨、液體二氧化碳等）。此外，還有一種性質(zhì)極為不穩(wěn)定的氣體，加壓后需溶于溶劑中儲(chǔ)存在鋼瓶?jī)?nèi)，這種氣體稱為溶解氣體（如溶解乙炔等）
 
具體來(lái)說(shuō)工業(yè)氣體可分為以下幾種：
1. 外延氣體(Cpitaxial gases) ：在仔細(xì)選擇的襯底上采用化學(xué)氣相淀積(CVD) 的方法生長(zhǎng)一層或多層材料所用氣體稱為外延氣體。硅外延氣體有4 種, 即硅烷、二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅, 主要用于外延硅淀積, 多晶硅淀積, 淀積氧化硅膜, 淀積氮化硅膜, 太陽(yáng)電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積。外延生長(zhǎng)是一種單晶材料淀積并生長(zhǎng)在襯底表面上的過(guò)程。此外延層的電阻率往往與襯底不同。
 
2. 蝕刻氣體(Etching gases) ：蝕刻就是把基片上無(wú)光刻膠掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金屬膜等蝕刻掉, 而使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來(lái), 這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是, 圖形邊緣整齊, 線條清晰, 圖形變換差小, 且對(duì)光刻膠膜及其掩蔽保護(hù)的表面無(wú)損傷和鉆蝕。蝕刻方式有濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體, 通常多為氟化物氣體, 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蝕刻由于蝕刻方向性強(qiáng)、工藝控制精確、方便、無(wú)脫膠現(xiàn)象、無(wú)基片損傷和沾污, 所以其應(yīng)用范圍日益廣泛。
 
3. 摻雜氣體(Dopant Gases)：在半導(dǎo)體器件和集成電路制造中, 將某種或某些雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體材料內(nèi), 以使材料具有所需要的導(dǎo)電類型和一定的電阻率, 用來(lái)制造PN結(jié)、電阻、埋層等。摻雜工藝所用的氣體摻雜源被稱為摻雜氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常將摻雜源與運(yùn)載氣體(如氬氣和氮?dú)? 在源柜中混合, 混合后氣流連續(xù)流入擴(kuò)散爐內(nèi)環(huán)繞晶片四周, 在晶片表面沉積上化合物摻雜劑, 進(jìn)而與硅反應(yīng)生成摻雜金屬而徙動(dòng)進(jìn)入硅。
 
4. 熏蒸氣體(Sterilizing Gases) ：具有殺菌作用的氣體稱熏蒸氣體。常用的氣體品種有環(huán)氧乙烷、磷烷、溴甲烷、溴甲醛、環(huán)氧丙烷等。其滅菌原理是利用烷化作用, 使微生物組織內(nèi)維持生命不可缺少的物質(zhì)惰化。最經(jīng)常使用的是以不同比例配制的環(huán)氧乙烷和二氧化碳的混合氣, 根據(jù)用途不同, 環(huán)氧乙烷的含量可以是10%、20%和30%等。也可采用環(huán)氧乙烷和氟利昂12的混合氣,環(huán)氧乙烷與氟利昂11和氟利昂12的混合氣等。殺菌效果與各組分濃度、溫度、濕度、時(shí)間和壓力等因素有關(guān)。熏蒸氣體可以用于衛(wèi)生材料、醫(yī)療器具、化妝品原料、動(dòng)物飼料、糧食、紙鈔、香辣

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